IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時,所產生的額定損耗亦變大。同時,開關損耗增大,使原件發熱加劇,因此,選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時,由于開關損耗增大,發熱加劇,選用時應該降等使用。

　　IGBT模塊是先進的第三代功率模塊,工作頻率1-20KHZ,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即DC/AC變換中。例電動汽車、伺服控制器、UPS、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、MOSFET,雙極型達林頓管等,目今功率可高達1MW的低頻應用中,單個元件電壓可達4.0KV（PT結構）— 6.5KV（NPT結構）,電流可達1.5KA,是較為理想的功率模塊。
　　追其原因是第三代IGBT模塊,它是電壓型控制,輸入阻抗大,驅動功率小,控制電路簡單,開關損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大等優點。實質是個復合功率器件,它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優點于一體化。又因先進的加工技術使它通態飽和電壓低,開關頻率高（可達20KHZ）,這兩點非常顯著的特性,最近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2V）的NPT—IGBT性能更佳,相繼東芝、富士、IR、摩托羅拉亦已在開發研制新品種。
　　IGBT模塊發展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標的,特別是發展高壓變頻器的應用,簡化其主電路,減少使用器件,提高可靠性,降低制造成本,簡化調試工作等,都與IGBT有密切的內在聯系,所以世界各大器件公司都在奮力研究、開發,予估近2-3年內,會有突破性的進展。目今已有適用于高壓變頻器的有電壓型HV-IGBT,IGCT,電流型SGCT等。

　　由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：
　　在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅動端子部分,當必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸； 在用導電材料連接模塊驅動端子時,在配線未接好之前請先不要接上模塊； 盡量在底板良好接地的情況下操作。 在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來傳送驅動信號,以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。
　　此外,在柵極—發射極間開路時,若在集電極與發射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過,柵極電位升高,集電極則有電流流過。這時,如果集電極與發射極間存在高電壓,則有可能使IGBT發熱及至損壞。
　　在使用IGBT的場合,當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態),若在主回路上加上電壓,則IGBT就會損壞,為防止此類故障,應在柵極與發射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。
　　在安裝或更換IGBT模塊時,應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。為了減少接觸熱阻,最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇,當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發熱,而發生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查,一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器,當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。

　　一般保存IGBT模塊的場所,應保持常溫常濕狀態,不應偏離太大。常溫的規定為5～35℃ ,常濕的規定在45～75％左右。在冬天特別干燥的地區,需用加濕機加濕; 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合； 在溫度發生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象,因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方； 保管時,須注意不要在IGBT模塊上堆放重物； 裝IGBT模塊的容器,應選用不帶靜電的容器。
　　IGBT模塊由于具有多種優良的特性,使它得到了快速的發展和普及,已應用到電力電子的各方各面。因此熟悉IGBT模塊性能,了解選擇及使用時的注意事項對實際中的應用是十分必要的。