主要用途

jc-005h主要應用于不銹鋼的拋光工藝中。

jc-003h主要用于鋁合金鏡面拋光工藝；

jc-001h主要用于大理石精拋工藝；

基本參數:

ph值 8.5～9.5

比重 1.280-1.295

粘度（稀釋后）< 10.0(mpa.s)

磨料粒徑 100～120(nm)

磨料濃度 40±2％

使用方法

根據工藝將拋光原漿料按一定比例與去離子水混合后使用；根據拋光設備和拋光切削度合理使用拋光液濃度。

運輸及保存

1、運輸與存放過程中要避免光直射。

2、運輸與存放溫度為5℃～50℃。

3、保質期一年，建議半年內使用。

包裝規格 25kg/桶

化學機械拋光

這兩個概念主要出現在半導體加工過程中，最初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是及其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（cmp chemical mechanical polishing ）取代了舊的方法。cmp技術綜合了化學和機械拋光的優勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，完美性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深�；瘜W機械拋光可以獲得較為完美的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數量級，是目前能夠實現全局平面化的唯一有效方法。

制作步驟

依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（cmp）機理、動力學控制過程和影響因素  研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：" >這兩個概念主要出現在半導體加工過程中，最初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是及其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（cmp chemical mechanical polishing ）取代了舊的方法。cmp技術綜合了化學和機械拋光的優勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，完美性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深。化學機械拋光可以獲得較為完美的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數量級，是目前能夠實現全局平面化的唯一有效方法。

制作步驟

依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半