具有灰色金屬光澤的晶體。 溶于氫 氟酸 和硝酸 的混酸 中,不溶于水用作鍍膜材料,濺射靶材用于制造半導體器件、太陽能電池等用作制造單晶硅的原料,還用于電子工業是制造半導體硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關器件等用于制造半導體分立器件、功率器件、集成電路和外延襯底等。主要用于制多晶硅、單晶硅、硅鋁合金及硅鋼合金等用于制晶體管、整流器和太陽能電池,還用于制高硅鑄鐵、硅鋼、各種有機硅化 合物等用作制備單晶硅的原料。三氯 氫 硅法將干燥加入合成爐中,與通人的干燥氯 化 氫 氣體在280～330℃有氯 化 亞銅催化 劑 存在下進行氯 化 反應,反應氣體經旋風分離除去雜質,再用氯 化 鈣冷凍鹽 水將氣態三氯 氫 硅冷凝成液體,經粗餾塔蒸餾和冷凝,除去高沸物和低沸物,再經精餾塔蒸餾和冷凝,得到精制三氯 氫 硅液體。純度達到7個“9”以上、雜質含量小于1×10-7,硼要求在0.5×10-9以下。提純后的三氯 氫 硅送人不銹鋼制的還原爐內,用超純氫 氣作還原劑 ,在1050～1100℃還原成硅,并以硅芯棒為載體,沉積而得多晶硅成品。其

h2+c12→2hcl

s+3hcl→sihc13+h2

sihcl3+h2→si+3hcl工業生產有坩堝直拉法、懸浮區熔法、中子嬗變摻雜法。

坩堝直拉法拉晶前先將設備各部件、合金石英坩堝、硅多晶和籽晶進行清潔處理。

將硅多晶破碎除去石墨,經丙酮 去油后,進行化 學清洗,用無離子水洗至中性,再經超聲波清洗,紅外干燥,配料及摻雜,加入單晶爐的合金石英坩堝中,再經抽真空、熔化 ,在流通的氬氣氛下,人工引晶放肩和收尾。晶體的等徑生長過程中,需根據情況適當調節功率,使其獲得直徑均勻的產品,經檢測、稱量,制得硅單晶成品。

懸浮區熔法先將設備和原料清潔處理,把硅多晶切斷,磨后用丙酮 去油,進行化 學清洗,用無離子水洗至中性,再經超聲波清洗,紅外干燥,配料和摻雜,裝爐,抽真空或充氬氣。在氬氣下高頻加熱進行區熔提純單晶。預熱、引晶、放肩、等徑、收尾等過程,由人工控制。再經檢測、稱量,制得硅單晶成品。