半導體硅制氮設備

一般psa純度：95～99.9995％；：1～3000nm3/h。深冷制氧空分純度可達到99.6％（特出情況除外）流量可達到3000立方。深冷制氮裝置流量可到到6000以上。碳分子篩的孔徑分布特性使其能夠實現o2、n2的動力學分離。這樣的孔徑分布可使不同的氣體以不同的速率擴散至分子篩的微孔之中,而不會排斥混合氣（空氣）中的任何一種氣體。碳分子篩對o2、n2的分離作用是基于這兩種氣體的動力學直徑的微小差別,制氮機分子的動力學直徑較小,因而在碳分子篩的微孔中有較快的擴散速率,,氮氣分子的動力學直徑較大,因而擴散速率較慢。制氮機壓縮空氣中的水和二氧化碳的擴散同氧相差不大,而氬擴散較慢。最終制氮機從吸附塔富集出來的是n2和ar的混合氣。

半導體硅制氮設備

的節能指標是用氣耗比來衡量,在相同的產氮量和純度下,氣耗比=空氣量÷產氮量；氣耗比大,相對空壓機耗能也越大。我公司生產的節能型變壓吸附制氮機能耗低,一步直接制取高純度氮氣99.9995％,無需純化設備,項目投資省、運行成本低、性價比更高。 “凱合空分”： 主要產品：中小型深冷空分設備,psa制氮設備,psa制氧設備,vpsa制氧裝置以及壓縮空氣凈化裝置。

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