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    溫度傳感器

    溫度壓力傳感器是由溫度敏感元件和檢測線路組成的。溫度傳感器從使用的角度大致可分為接觸式和非接觸式兩大類,前者是讓溫度傳感器直接與待測物體接觸,來敏感被測物體溫度的變化,而后者是使溫度傳感器與待測物體離開一定的距離,檢測從待測物體放射出的紅外線,從而達到測溫的目的。 傳統的熱電偶、熱電阻、熱敏電阻及半導體溫度傳感器都是將溫度值經過一定的接口電路轉換后輸出模擬電壓或電流信號,利用這些電壓或電流信號即可進行測量控制。而將模擬溫度傳感器與數字轉換接口電路集成在一起,就成為具有數字輸出能力的數字溫度傳感器。隨著半導體技術的迅猛發展,半導體溫度傳感器與相應的轉換電路、接口電路以及各種其它功能電路逐漸集成在一起,形成了功能強大、精確、價廉的數字溫度傳感器。

    鼓紙

    鼓紙是喇叭中的主要發聲部件,喇叭的音質好壞與鼓紙有很大關系。

    干式電力變壓器

    干式電力變壓器的鐵芯采用高導磁優質晶粒取向冷扎硅鋼片,45°全斜步進接縫,鐵芯采用特殊的方管拉板結構,芯柱用絕緣帶綁扎,鐵芯表面采用特殊樹脂涂覆以防潮防銹,有效的降低了空載損耗、空載電流和鐵芯噪音。

    扭矩傳感器

    扭矩傳感器在旋轉動力系統中最頻繁涉及到的參數,旋轉扭矩,為了檢測旋轉扭矩傳統使用較多的是扭轉角相位差式傳感器,該方法是在彈性軸的兩端安裝著兩組齒數、形狀及安裝角度完全相同的齒 扭矩傳感器輪,在齒輪的外側各安裝著一只接近(磁或光)傳感器。當彈性軸旋轉時,這兩組傳感器就可以測量出兩組脈沖波,比較這兩組脈沖波的前后沿的相位差就可以計算出彈性軸所承受的扭矩量。該方法的優點:實現了轉矩信號的非接觸傳遞,檢測信號為數字信號;缺點:體積較大,不易安裝,低轉速時由于脈沖波的前后沿較緩不易比較,因此低速性能不理想。(扭矩測試比較成熟的檢測手段為應變電測技術。它具有精度高,頻響快,可靠性好,壽命長等優點。

    組合式變壓器

    組合式變壓器首先由美國有關電氣公司開發。在美國叫基座式變壓器,英文名稱為Padmounted transformer,在國內也稱美式箱變。

    單向可控硅

    單向可控硅是一種可控整流電子元件,能在外部控制信號作用下由關斷變為導通,但一旦導通,外部信號就無法使其關斷,只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關斷。單向可控硅是由三個PN結PNPN組成的四層三端半導體器件與具有一個PN結的二極管相比,單向可控硅正向導通受控制極電流控制;與具有兩個PN結的三極管相比,差別在于可控硅對控制極電流沒有放大作用。

    逆變變壓器

    逆變變壓器是用于EPS逆變應急電源中作電流電壓轉換的變壓器。

    晶閘管

    晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡稱,又可稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅;1957年美國通用電器公司開發出世界上第一款晶閘管產品,并于1958年將其商業化;晶閘管是PNPN四層半導體結構,它有三個極:陽極,陰極和門極; 晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。

    高頻變壓器

    高頻變壓器是開關電源最主要的組成部分。開關電源中有很多拓撲結構。比如半橋式功率轉換電路,工作時兩個開關三極管輪流導通來產生100kHz的高頻脈沖波,然后通過高頻變壓器進行變壓,輸出交流電,高頻變壓器各個繞組線圈的匝數比例則決定了輸出電壓的多少。典型的半橋式變壓電路中最為顯眼的是三只高頻變壓器:主變壓器、驅動變壓器和輔助變壓器(待機變壓器),每種變壓器在國家規定中都有各自的衡量標準。

    晶閘管模塊

    晶閘管模塊是晶體閘流管的簡稱,又可稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅;1957年美國通用電器公司開發出世界上第一款晶閘管產品,并于1958年將其商業化;晶閘管是PNPN四層半導體結構,它有三個極:陽極,陰極和門極;晶閘管工作條件為:加正向電壓且門極有觸發電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件,在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示(舊標準中用字母“SCR”表示)。   晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。

    可控硅模塊

    可控硅模塊又叫晶閘管(SilicON Controlled Rectifier, SCR)。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管,等等。今天大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極:第一層P型半導體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到,它和二極管一樣是一種單方向導電的器件,關鍵是多了一個控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。

    LED光柱

    LED光柱是利用LED芯片制作成的模擬條圖的光柱顯示器件(統稱為LED光柱顯示器)。

    LED數碼管

    LED數碼管是以發光二極管作為發光單元的照明裝飾、亮化燈具。

    恒壓變壓器

    恒壓變壓器集穩壓、隔離、變壓為一體,具有雙向濾波功能, 可消除電網雜波干擾, 具有良好的抗干擾能力,輸出為正弦波或準方波兩種類型。是精密電子儀器、微機及數控等設備的理想穩壓電源

    結型場效應管

    在一塊N型(或P型)半導體材料的兩邊各擴散一個高雜質濃度的P型區(或N型區),就形成兩個不對稱的PN結。把兩個P區(或N區)并聯在一起,引出一個電極,稱為柵極(g),在N型(或P型)半導體的兩端各引出一個電極,分別稱為源極(s)和漏極(d)。夾在兩個PN結中間的N區(或P區)是電流的通道,稱為導電溝道(簡稱溝道)。這種結構的管子稱為N溝道(或P溝道)結型場效應管。

    IGBT模塊

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

    氣體放電管

    氣體放電管包括二極管和三極管,電壓范圍從75V—3500V,超過一百種規格,嚴格按照CITEL標準進行生產、監控和管理。 放電管常用于多級保護電路中的第一級或前兩級,起泄放雷電暫態過電流和限制過電壓作用。

    可編程電源

    可編程任意電源就是某些功能或參數可以通過計算機軟件編程控制的電源。比如設置輸出電壓是多少,最大輸出電流是多少,超過這個值則不能正常供電等等。例如,當超過最大輸出電壓的時候為恒流輸出,當超過最大輸出電流的時候,電源就變成了穩壓源等等。“可編程”的意思是電源內部主要功能通過上位機設定狀態字實現可控,大部分的電源是通過串口連接的。可通過通訊規約,設定“最大電流、最大電壓、最大功率、實際電壓”等等。可編程任意電源的主要指標是編程時間,編程精度,編程分辨率等等。

    陶瓷放電管

    陶瓷放電管用陶瓷密閉封裝,內部由兩個或多個帶間隙的金屬電極,充以惰性氣體氬氣,氖氣構成,當加到兩電極端的電壓達到使氣體放電管內的氣體擊穿時,氣體放電管開始放電,由高阻抗變成低阻抗,使浪涌電壓訊速短路至接近零電壓,并將過電流釋放入地,從而對后續電路起到保護作用。當浪涌電壓消失后,陶瓷放電管熄滅恢復到高阻抗狀態,等待下一次動作,陶瓷放電管常用于多級保護電路中的第一級或前兩級,起泄放雷電暫態過電流和限制過電壓作用。

    CVT

    CVT的中文全名為電容式電壓互感器,在國外已有四十多年的發展歷史,在72.5~800kV電力系統中已被普遍應用。國產CVT于1964年在西安電力電容器廠誕生,到如今也積累了三十五年的制造和運行經驗,逐漸進入成熟期。尤其是近幾年,國產CVT在準確度及輸出容量的提高以及成功地采用速飽和電抗型阻尼器使鐵磁諧振阻尼特性和瞬變響應特性明顯改善等方面有了突破性進展。

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